11月26日，第十一屆中國太陽級硅及光伏發電研討會（CSPV）在浙江杭州舉行，來自浙大、西安交大、上海交大、新南威爾士大學、中科院、甘肅自然能源研究所等業內頂尖科研院所的專家和國內一線光伏制造企業技術領袖驚艷亮相，超過600名專家學者行業人士齊聚一堂，會場座無虛席。

在上午的大會主題論壇中，詳細講解隆基股份大容量快速拉晶和金剛線切片工藝、樂葉光伏PERC單晶電池產業化進程及未來2-3年結合MWT、N型工藝進一步提升組件功率的技術實現路徑，未來3年內單晶硅片與多晶硅片的非硅成本將趨于一致，結合單晶顯著的轉換效率優勢，將大幅度提高單晶市場份額。
光衰減現象可以通過多種方式有效控制

只有當硼和氧雜質同時存在時才會發生光衰減現象，通過降低氧含量、降低硼濃度、用摻鎵取代摻硼、使用N型硅晶體、高溫熱處理、使用同族摻雜硅晶體都可以實現光衰減抑制。余教授特別指出，浙大研究成果表明，第三態的生成能有效控制直拉單晶太陽電池的光衰減效應。

單晶組件高可靠、低衰減、低投資，市場需求回歸

高溫對組件輸出功率的影響可能高達10%以上，同樣條件下的單晶組件溫度平均比多晶組件溫度低5-10攝氏度，因此單晶在高溫下的功率損失較少。李所長引用了使用30年以上的甘肅、云南、日本光伏電站案例證實了單晶組件的長期可靠性，引用日本京瓷組件樣本測試數據表明單晶組件29年的平均衰減僅16%，與多晶組件和薄膜組件相比，單晶的衰減率較低，具有顯著優勢。在組件質量方面，多晶硅電池的結構強度比單晶硅電池要差，因而多晶硅電池更容易發生隱裂。在電站成本方面，使用國內一線品牌的單晶組件和多晶組件，單晶組件價格會比多晶組件高0.1元/W，但是在BOS成本方面單晶會顯著節約，做成系統以后，單晶電站每瓦投資比多晶電站低0.15元/W。電站投資需要考慮的是綜合投資成本而不是某一個設備部件的采購成本。單晶硅的市場份額正在回歸，因為它有很多新的技術在往前推，而多晶硅還在使用傳統的PN結，所以單晶的市場前景會更加廣闊。

相同功率的多晶組件比單晶組件在應用中的發電量低

浙大硅材料重點實驗室對300W標定功率的單晶組件和300W標定功率的多晶組件進行比較，發現多晶比單晶年發電量少15%。在100-60mW/平方厘米光照下，多晶電池相對效率比單晶電池衰減更快，其差異主要由相對開路電壓的差異所致。室溫下多晶硅中位錯網絡和晶界等深能級結構缺陷復合活性隨載流子注入濃度降低而升高，對飽和電流和短路電流均有影響。