未來三五年內的技術路線仍然是晶體硅占絕對主導，硅料端技術以成熟的硅烷流化床法逐步取代現有的改良西門子法，硅片端的“金剛線切多晶+黑硅+PERC”成為市場標配，擠壓單晶硅片市場，直拉單晶工藝會讓位于鑄造單晶工藝。50多吉瓦的多晶鑄錠設備會通過熱場改造進一步提升高效多晶產能、改善晶體結構和產出高性價比鑄造單晶;而10多吉瓦的直拉單晶設備，在高效N型單晶成本仍高的三年內，至少一半以上產能面臨閑置。

市場價格下滑仍然是常態，在光伏平價上網到來之前，光伏全產業鏈價格逐年下調，光伏發電成本降低，促進光伏應用市場擴大。從2017年的價格走勢看，仍然是上半年上揚，“6.30”后急凍，第四季度恢復，呈斜“N”型軌跡，全年整體呈下降趨勢。生產負荷和市場交易量也偏重上半年，這主要受中國市場影響，如2016年全球70吉瓦的光伏組件，中國本土產量就達50吉瓦，而在中國當年的安裝量就達30吉瓦，而且為趕"6.30"調價期限，大部分交易在上半年。今年的“6.30”影響不如去年明顯，但“領跑者計劃”項目集中并網影響也很大，由于“領跑者計劃”對單多晶效率標準制定沒有拉開差距，去年的投標方案大比例選擇了單晶組件以獲得技術評分，在單晶產能不足的情況下造成供應緊張，價格漲幅高，預計“6.30”后跌幅也大，斜“N”型的價格走勢中單晶的上下幅度大，多晶則相對平緩。預計2017年四季度，隨著金剛線切多晶及黑硅產能提速，單多晶性價比差距拉大，市場上單多晶比例將從2.5：7.5回落到2：8。